АО "Полупроводниковые приборы" имеет компетенции по созданию высокоэнергетичных твердотельных лазеров с диодной накачкой и энергией в импульсе до 5 Дж.

Указанное изделие было разработано и изготовлено в рамках выполнения совместной программы Союзного Государства России и Белоруссии.

В качестве источника оптической накачки выступают матрицы коллимированных диодных линеек, также разработанных и произведенных нашим предприятием.

В качестве активных элементов используются диски из кристалла YAG:Nd (аллюмо-иттриевый гранат, легированный ионами неодима) расположенные на теплопроводящих основаниях.

Лазерный излучатель имеет герметичный корпус и устойчив к внешним факторам.