ЗАО «Полупроводниковые приборы» предлагает широкий выбор компонентов, необходимых для построения полностью готовой к работе лазерной системы, отлично подходящей как для использования в исследовательских, так и в учебных целях. В настоящее время такие системы применяют в целом ряде лабораторий за рубежом (University at Buffalo, США, Czech Technical in Prague, Чехия), а также в высших учебных заведениях нашей страны (Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет, Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет).
Описание лабораторных работ по накачке активных сред.(University at Buffalo, США), на английском языке
Описание лабораторных работ по накачке активных сред.(University at Buffalo, США), приблизительный перевод
Исследования спонтанной фотолюминесценции наногетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs с квантовыми точками и квантовыми ямами – реферат (СПбГЭУ)
Исследование твердотельного лазера с полупроводниковой накачкой с преобразованием частоты излучения и возможных его применений в микроэлектронике – реферат (СПбГПУ)
Ознакомление с мощным инжекционным гетеролазером и исследование его основных характеристик - реферат (СПбГПУ)
Представленные лабораторные работы являются комплексными и планируются к выполнению студентами в курсах «Квантовая электроника и оптоэлектроника», «Полупроводниковые оптоэлектронные приборы», «Физика полупроводниковых приборов», «Физика твердого тела», «Оптика полупроводников», «Технология полупроводниковых приборов и интегральных микросхем» и «Технология полупроводниковых материалов».
Схема построения лазерных систем (pdf)